K3LKBKB0BM-MGCP vs K3K9K90BM-MGCP 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3LKBKB0BM-MGCP 제조: Samsung Electronics 및 K3K9K90BM-MGCP 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3LKBKB0BM-MGCP | K3K9K90BM-MGCP |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $46.62 | $47.15 |
| 메모리 유형 | DRAM (LPDDR5 SDRAM) | LPDDR5 SDRAM (CMOS) |
| 메모리 크기 | 32 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 1G x 32 | [DATA_NEEDED: density and organization] |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps per pin | — |
| Supply Voltage Rails | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| 인터페이스 | LPDDR5 x32 | — |
| 패키지 | FBGA-315 | PBGA (Plastic Ball Grid Array) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -25C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Technology Generation | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density per Package | 4 GB (32 Gbit) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) | Self-refresh with per-bank refresh support (LPDDR5 standard) |
| Application Segment | Mobile, embedded, industrial computing | — |
| Standby / Deep Sleep | LPDDR5 deep-sleep power states | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Access Time / Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Pin Speed | — | Up to 6400 Mbps (family maximum per Samsung LPDDR5 page) |
| Interface Width | — | x32 (family standard for K3K/K3L BM packages) |
| Ball Count | — | [DATA_NEEDED: ball count] |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Power Saving vs LPDDR4X | — | Approximately 20% (Samsung published figure) |
| Max Bandwidth | — | Up to 51.2 GB/s (family maximum per Samsung LPDDR5 page) |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Clocking | — | WCK (word clock) architecture |
| Standards | — | JEDEC LPDDR5 |