K4A4G085WD-BCRC vs K3LK4L40DM-BGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WD-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K3LK4L40DM-BGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT - Samsung DRAM Memory IC | Samsung Electronics
K3LK4L40DM-BGCT ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WD-BCRC | K3LK4L40DM-BGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.58 | $40.50 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | — |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (D-die) | DRAM (SDRAM component) |
| 데이터 속도 | 2400 Mb/s (PC2400) | [DATA_NEEDED: Data Rate] |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-78 (TFBGA) | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Access Mode | Multi-bank page burst | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Density | — | [DATA_NEEDED: Density] |
| Organization (x-width) | — | [DATA_NEEDED: Organization] |
| Supply Voltage Class | — | [DATA_NEEDED: Supply Voltage] |
| Package Type | — | BGA (per -BGC ordering-code suffix) |
| Package Ball Count | — | [DATA_NEEDED: Ball Count] |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: Refresh Interval] |
| Lead Free | — | [DATA_NEEDED: Lead-Free Status] |
| Packaging | — | Tape & Reel (per -T-style suffix convention) [DATA_NEEDED: confirmed packaging] |