K4AAG165WA-BCRC vs H5ANAG8NAMR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4AAG165WA-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 H5ANAG8NAMR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4AAG165WA-BCRC K4AAG165WA-BCRC - 16Gb DDR4 SDRAM, FBGA-96 | Samsung | DRAM

K4AAG165WA-BCRC - 16Gb DDR4 SDRAM, FBGA-96 | Samsung | DRAM

K4AAG165WA-BCRC ✓ 활성
SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4AAG165WA-BCRC H5ANAG8NAMR-UHC
브랜드 Samsung Electronics SK hynix
카테고리 DRAM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $64.90 $2.15
메모리 유형 DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
메모리 크기 16 Gb (2 GB) —
Memory Organization 1G x 16 —
Memory Interface DDR4 SDRAM Interface —
공급 전압 1.2 V 1.2 V
데이터 속도 up to 3200 Mbps per pin (family); [DATA_NEEDED: BCRC speed grade rating] DDR4-2400 (2400 MT/s)
Technology DDR4 —
패키지 FBGA-96 (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: BCRC temperature range; family BCWE rated -40C to +95C] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Speed Grade Suffix -BCRC —
Datasheet Samsung K4AAG165WA DDR4 SDRAM Memory, 23 pages —
Packaging Status [DATA_NEEDED: tray/reel standard quantity] —
Clock Frequency [DATA_NEEDED: BCRC clock frequency] —
Memory Format DRAM —
RoHS 상태 unknown Compliant (lead-free FBGA package)
Manufacturer — SK Hynix
Density — 16 Gbit
메모리 구성 — 2G x 8
인터페이스 — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

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