K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646D-BYH90 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BYK0 제조: Samsung Electronics 및 K4B4G1646D-BYH90 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646D-BYH90 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.90 | $8.80 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 512M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps (PC3-12800) | 2133 Mbps/pin |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | 0°C to +85°C |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | Programmable (e.g., 11, 12, 13) |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT pin) |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| I/O Interface | — | x16 |
| Number of Banks | — | 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| ZQ Calibration | — | Yes (240-ohm resistor to ground) |
| RoHS | — | Compliant |