K4RBH086VB-BCQK vs K4RBH165VB-BCQK 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RBH086VB-BCQK 제조: Samsung Electronics 및 K4RBH165VB-BCQK 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RBH086VB-BCQK K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH086VB-BCQK ✓ 활성
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사양 비교

파라미터 K4RBH086VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $0.00
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
메모리 구성 2G x 8 1G x 16
데이터 속도 4800 Mbps 4800 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
인터페이스 DDR5 (CA bus, ODECC) —
On-die ECC Yes —
패키지 FBGA-82 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0 C to +85 C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 32ms/64ms] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 4800 Mbps] —
Power Supply Rails VDD/VDDQ 1.1 V (PMIC on module) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging [DATA_NEEDED: tray or tape and reel standard quantity] —
메모리 크기 — 16 Gb
Speed Grade — BCQK (4800 Mbps)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Error Correction — On-chip (on-die) ECC
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
공급 전압 — [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5]
Package Type — [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount]
Burst Length — [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)]

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