K4RHE165VB-BCWM vs K4RBH046VM-BCWM 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4RHE165VB-BCWM 제조: Samsung Electronics 및 K4RBH046VM-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ 활성
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4RHE165VB-BCWM K4RBH046VM-BCWM
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $11.35
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb (3 GB) —
메모리 구성 1G x 16 —
데이터 속도 5600 Mbps 5600 Mbps
공급 전압 1.1 V 1.1 V
패키지 106 FBGA 78-ball FBGA
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount
동작 온도 0 to 85 C 0 C to 85 C
Product Status Mass Production Sample
인터페이스 DDR5 (parallel, DDR) —
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
메모리 크기 — 32 Gb
Memory Organization — 2G x 4
Memory Interface — Parallel
Technology — DRAM
Memory Format — Volatile
Packaging — Tray
Manufacturer — Samsung Electronics
Speed Grade — DDR5-5600
Access Time / CL — [DATA_NEEDED: CAS Latency]

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