K6F2016U4D-FF70T00 vs K6F3216U6M-EF70T 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6F2016U4D-FF70T00 제조: Samsung Electronics 및 K6F3216U6M-EF70T 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung
K6F2016U4D-FF70T00 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K6F2016U4D-FF70T00 | K6F3216U6M-EF70T |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.05 | $6.10 |
| 메모리 유형 | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 2 Mbit | 32 Mbit |
| 메모리 구성 | 128K x 16 | 2M x 16 |
| Access Time (tAA) | 70 ns | — |
| Supply Voltage (Vcc) | 2.7 V to 3.3 V | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS Static RAM |
| Write Cycle Time (tWP) | 50 ns | — |
| 동작 온도 | Industrial temperature range | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| 패키지 | 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package | 55-TFBGA (7.5 x 12 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grades in Family | 55 ns, 70 ns | — |
| Power Feature | Super low power and low voltage | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | NO (per third-party listing) |
| 공급 전압 | — | 3 V |
| Access Time | — | 55 ns |
| Speed Grade | — | -EF70 (55 ns) |
| Standard Pack Qty | — | 2400 |
| Memory Composition | — | Volatile SRAM |
| Refresh Requirement | — | None (static memory) |