K9HCG08U1M vs K9LCG08U1M 비교
다음의 상세 나란히 비교: K9HCG08U1M 제조: Samsung Electronics 및 K9LCG08U1M 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K9HCG08U1M | K9LCG08U1M |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Flash |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $11.85 |
| Memory Technology | MLC NAND Flash | — |
| Total Capacity | 64 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 8G x 8 | x8 I/O |
| 데이터 버스 폭 | 8 bit | — |
| 인터페이스 유형 | Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) | — |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: supply voltage] | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: read time] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: program time] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| 패키지 | TSOP-48 (PDSO48) | BGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40C to +105C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B#) | — |
| Die Technology | Samsung E-die (per datasheet family) | — |
| Full Ordering Code | K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 | — |
| 메모리 유형 | — | NAND Flash, MLC |
| Density | — | 64 Gbit (8 GB) |
| 인터페이스 | — | Asynchronous multiplexed NAND I/O |
| Cell Type | — | MLC (2 bits per cell) |
| Page Read Time | — | [DATA_NEEDED: page read time] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| RoHS 상태 | — | unknown |
| Ordering Codes | — | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB |