K9QDGB8U7M vs K9PKGY8S7M-CCK0 비교

다음의 상세 나란히 비교: K9QDGB8U7M 제조: Samsung Electronics 및 K9PKGY8S7M-CCK0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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K9QDGB8U7M K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9QDGB8U7M Unknown
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K9PKGY8S7M-CCK0 K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung

K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung

K9PKGY8S7M-CCK0 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K9QDGB8U7M K9PKGY8S7M-CCK0
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 Unknown 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $9.40
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Family K9 NAND Flash —
메모리 유형 NAND Flash NAND Flash
Density [DATA_NEEDED: Density] —
메모리 구성 [DATA_NEEDED: Organization] —
인터페이스 유형 [DATA_NEEDED: Interface Type] —
공급 전압 [DATA_NEEDED: Supply Voltage] [DATA_NEEDED: supply voltage]
Page Size [DATA_NEEDED: Page Size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: Block Size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
Read Latency [DATA_NEEDED: Read Latency] —
Package Type BGA (surface mount) —
동작 온도 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS Status] Lead free / RoHS compliant
Memory Capacity — 128 Gb (16 GB)
Cell Architecture — 3D V-NAND, MLC (2 bits/cell)
V-NAND Layers — 24 layers
패키지 — BGA
인터페이스 — Asynchronous/toggle-mode NAND bus (per Samsung V-NAND family)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Application Domain — Enterprise SSD (e.g., Samsung 845DC Pro)
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: read cycle time]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention specification]

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