M25P16-VMN3PB vs M25P16-VMN3TPB 비교

다음의 상세 나란히 비교: M25P16-VMN3PB 제조: Micron Technology 및 M25P16-VMN3TPB 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ 단종
Micron Technology
M25P16-VMN3TPB M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3TPB
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 수명 종료 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.98 $0.63
메모리 유형 Serial NOR Flash, SLC NOR Flash (Serial SPI)
Memory Density 16 Mbit (16,777,216 bits) —
메모리 구성 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8) 2 Mbyte x 8
인터페이스 SPI SPI Serial
최대 클록 주파수 75 MHz 75 MHz
공급 전압 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V (single supply)
Write/Erase Endurance 100,000 cycles —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +85C
Temperature Grade Automotive —
패키지 8-SO (SOIC, 208 mil SOP) 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil)
Number of Terminals 8 —
Maximum Seated Height 1.75 mm —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Product Longevity Program Yes —
Access Time 15 ns 15 ns
Write Protection Hardware (WP#) and software block protection Advanced write-protection mechanisms
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
메모리 크기 — 16 Mbit (2 M x 8)
Page Program Time — 0.64 ms typ (256-byte page)
Sector Erase Time — 0.6 s typ (512 Kbit sector)
Bulk Erase Time — 13 s typ (16 Mbit)
Sector Count — 32 sectors of 64 Kbyte
Packaging — Tape & Reel (TPB suffix)

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