M25P16-VMN3PB vs M25P80-VMN3PB 비교

다음의 상세 나란히 비교: M25P16-VMN3PB 제조: Micron Technology 및 M25P80-VMN3PB 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ 단종
Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ 단종

사양 비교

파라미터 M25P16-VMN3PB M25P80-VMN3PB
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs EEPROM
수명 주기 상태 수명 종료 수명 종료
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.98 $0.75
메모리 유형 Serial NOR Flash, SLC FLASH - NOR Memory IC
Memory Density 16 Mbit (16,777,216 bits) —
메모리 구성 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8) 1M x 8 bit
인터페이스 SPI SPI
최대 클록 주파수 75 MHz 75 MHz
공급 전압 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Write/Erase Endurance 100,000 cycles —
동작 온도 -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Temperature Grade Automotive —
패키지 8-SO (SOIC, 208 mil SOP) 8-SO (SOIC-8)
Number of Terminals 8 —
Maximum Seated Height 1.75 mm —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Product Longevity Program Yes —
Access Time 15 ns 8 ns
Write Protection Hardware (WP#) and software block protection —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
메모리 크기 — 8 Mbit (1M x 8)
Page Program Time — 0.64 ms typ (up to 256 bytes)
Erase Capability — Sector erase and bulk erase
Write Protect — Hardware write protect (W pin)
Hold Function — Yes (HOLD pin)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

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