M25P16-VMN3TPB vs AT45DB041D-SU 비교

다음의 상세 나란히 비교: M25P16-VMN3TPB 제조: Micron Technology 및 AT45DB041D-SU 제조: Renesas Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M25P16-VMN3TPB M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB - 16Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25P16-VMN3TPB ✓ 활성
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M25P16-VMN3TPB AT45DB041D-SU
브랜드 Micron Technology Renesas Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.63 $0.92
메모리 유형 NOR Flash (Serial SPI) DataFLASH NOR
메모리 크기 16 Mbit (2 M x 8) —
메모리 구성 2 Mbyte x 8 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
인터페이스 SPI Serial SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
최대 클록 주파수 75 MHz 66 MHz
공급 전압 2.7 V to 3.6 V (single supply) 2.7 V to 3.6 V
Access Time 15 ns —
Page Program Time 0.64 ms typ (256-byte page) [DATA_NEEDED: page program time]
Sector Erase Time 0.6 s typ (512 Kbit sector) —
Bulk Erase Time 13 s typ (16 Mbit) —
Sector Count 32 sectors of 64 Kbyte —
Write Protection Advanced write-protection mechanisms —
동작 온도 -40C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
패키지 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil) 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TPB suffix) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

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