M25P32-VMW3GB vs M25P16-VMN3TPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: M25P32-VMW3GB 제조: Micron Technology 및 M25P16-VMN3TPB 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M25P32-VMW3GB | M25P16-VMN3TPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.18 | $0.63 |
| 메모리 유형 | NOR Flash, Serial SPI | NOR Flash (Serial SPI) |
| Density | 32 Mbit (4M x 8) | — |
| 메모리 구성 | 4M x 8 | 2 Mbyte x 8 |
| 인터페이스 | SPI, modes 0 and 3 | SPI Serial |
| Max Clock Frequency | 75 MHz | — |
| 공급 전압 | 3.0 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V (single supply) |
| Page Size | 256 bytes | — |
| Sector Size | 64 Kbytes (64 sectors) | — |
| 패키지 | 8-SOIC wide-body (VMW, 208 mil) | 8-SOIC (3.90 mm width, 150 mil) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 (automotive) | — |
| Write Protection | Hardware (/WP) and software block protection | Advanced write-protection mechanisms |
| Deep Power-Down | Supported, ~1 uA standby (per family datasheet) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C |
| Page Program Time (typ) | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Sector Erase Time (typ) | [DATA_NEEDED: sector erase time] | — |
| Packaging | Tube | Tape & Reel (TPB suffix) |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 메모리 크기 | — | 16 Mbit (2 M x 8) |
| 최대 클록 주파수 | — | 75 MHz |
| Access Time | — | 15 ns |
| Page Program Time | — | 0.64 ms typ (256-byte page) |
| Sector Erase Time | — | 0.6 s typ (512 Kbit sector) |
| Bulk Erase Time | — | 13 s typ (16 Mbit) |
| Sector Count | — | 32 sectors of 64 Kbyte |