M29F160FT55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 비교
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Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29F160FT55N3F2 | M29F800FT55N3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Flash | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.90 | $0.78 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) | NOR Flash, Parallel |
| Density | 16 Mbit (16777 kbits) | — |
| 메모리 구성 | 1M x 16 / 2M x 8 | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V (operating 4.5 V) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Synchronous / Asynchronous | Asynchronous | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT) | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 48-Pin TSOP | 48-pin TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | Tape & Reel (T/R) |
| Program / Erase | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Mbit |
| 공급 전압 | — | 5 V (single supply) |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (T) |
| Programming Voltage | — | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) |
| Erase Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |