M29F400FB55N3F2 vs M29F200FB55N3F2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F400FB55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F200FB55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F400FB55N3F2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.95 | $4.20 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | Parallel NOR Flash |
| Density | 4 Mbit (4194 kbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| 메모리 구성 | 256K x 16 / 512K x 8 | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 5 V | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Bottom boot block | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| 패키지 | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Standard Package Quantity | 1500 units (Tape & Reel) | — |
| Active/Standby Current | [DATA_NEEDED: active and standby current] | — |
| Erase/Program Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| VIO Range | [DATA_NEEDED: I/O voltage range] | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free build per F2 suffix) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Number of Words | — | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block (FB) |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |