M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55N3E2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F800FT55N3E2 제조: Micron Technology 및 M29F400FT55N3E2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F800FT55N3E2 | M29F400FT55N3E2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.98 | $4.15 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | 4 Mbit (512K x 8) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 5 V | 5 V (single supply) |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | Top boot (FT variant) |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| 패키지 | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | [DATA_NEEDED: Data Retention] |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Programming Supply | — | No 12 V VPP required (5.0 V programming) |
| Command Set | — | JEDEC standard compatible |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: Active Current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: Standby Current] |
| Block Protection | — | Hardware block protection |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |