M29W064FT70N3E vs M29W064FB70N3F 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W064FT70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W064FB70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W064FT70N3E M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W064FT70N3E ✓ 활성
Micron Technology
M29W064FB70N3F M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F Obsolete

사양 비교

파라미터 M29W064FT70N3E M29W064FB70N3F
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $1.20
메모리 유형 NOR Flash (Parallel) NOR Flash, Parallel
Density 64 Mbit 64 Mbit
메모리 구성 8 Mb x8 or 4 Mb x16 8M x8 / 4M x16
인터페이스 Parallel, CFI compliant Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#)
Access Time 70 ns 70 ns
공급 전압 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Boot Block Architecture Top boot block (FT) —
동작 온도 -40C to +85C -40C to +125C
패키지 48-TSOP 48-TSOP
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Programming Voltage Single 3 V supply (no separate VPP required) —
Erase/Program Method Command-set page programming, block erase —
Product Longevity Program No —
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: active read supply current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (F suffix)
Boot Block Configuration — Bottom boot block (FB)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Packaging — Tape & Reel (TR suffix)
Status Polling — RY/BY# hardware pin + data polling
Erase/Program Interface — Command set (M29W family compatible)
Part Status — Obsolete

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