M29W128GL70ZS3F vs M29W128GL70N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W128GL70ZS3F 제조: Micron Technology 및 M29W128GL70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W128GL70ZS3F | M29W128GL70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.90 | $2.48 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 128 Mbit | 128 Mbit |
| 메모리 구성 | 16M x 8 / 8M x 16 | 8M x16 / 16M x8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 3 V / 3.3 V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Block Architecture | 64/64 (two 64 Mbit partitions) | — |
| 패키지 | 64-FBGA (11 x 13 mm) | 56-TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Qualification | Automotive, AEC-Q100 | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Supply Voltage Range | [DATA_NEEDED: VCC min/max] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Memory Format | — | FLASH - NOR |
| Block Organization Variant | — | GL (boot-block) |
| Speed Grade Code | — | -70 |
| Package Finish Code | — | N3F (lead-free TSOP) |
| Programming Interface | — | Command-set parallel bus, embedded state machine |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |