M29W160EB80ZA3SE vs M29W160ET70N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W160EB80ZA3SE 제조: Micron Technology 및 M29W160ET70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W160EB80ZA3SE | M29W160ET70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.35 | $2.80 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | Parallel NOR Flash |
| 메모리 크기 | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) |
| Access Time | 80 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel (Byte-wide / Word-wide) | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | 3 V / 3.3 V |
| 메모리 구성 | 16 Mbit Boot Block, x8/x16 selectable | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | — |
| 패키지 | 48-TFBGA (6x8 mm, 0.8 mm ball pitch) | 48-pin TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tape and Reel |
| Qualification | AEC-Q100 (automotive grade per datasheets.com listing) | AEC-Q100 qualified |
| Programming Supply | Single 3V supply for program, erase and read | — |
| Technology Family | M29W160EB (3rd generation M29W series) | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Erase Block Architecture | Boot block (parameter and main blocks) | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| RoHS 상태 | Pb-free (SE suffix) | RoHS-compliant package (F option) |
| Technology | — | CMOS |
| Boot Block Architecture | — | Top boot |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Programming Interface | — | Parallel command set |
| Number of Terminals | — | 48 |