M29W320DT70N3F vs M29W320DB70N3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W320DT70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W320DB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F ✓ 활성
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W320DT70N3F M29W320DB70N3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Flash
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.95 $1.95
메모리 유형 FLASH - NOR NOR Flash
메모리 크기 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16) —
Access Speed 70 ns —
인터페이스 Parallel (Byte-wide) Parallel
Supply Voltage - VCC 2.7 V to 3.6 V —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) 12 V (optional)
Boot Block Organization Top boot block (DT suffix) —
Block Architecture Non-uniform parameter blocks Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Temperature Grade Automotive —
Max Seated Height 1.2 mm —
Number of Terminals 48 —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Write Cycle - Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
메모리 구성 — 2M x 16
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
Access Time — 70 ns
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
동작 온도 — -40C to +125C
패키지 — 48-TSOP I
RoHS 상태 — ROHS3 Compliant
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

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