M29W400FB55N3E vs M29F400FT55N3E2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W400FB55N3E 제조: Micron Technology 및 M29F400FT55N3E2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ 활성
Micron Technology
M29F400FT55N3E2 M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash, 55ns | Micron

M29F400FT55N3E2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W400FB55N3E M29F400FT55N3E2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 EEPROM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $4.15
메모리 유형 NOR Flash (parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 4 Mbit (4194 kbits) 4 Mbit (512K x 8)
메모리 구성 512K x 8 bit / 256K x 16 bit —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
인터페이스 Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) —
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
동작 온도 -40C to +125C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
패키지 48-TSOP I, 12 x 20 mm 44-SO (SOP-44)
Pins 48 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
공급 전압 — 5 V (single supply)
Boot Block Architecture — Top boot (FT variant)
Programming Supply — No 12 V VPP required (5.0 V programming)
Command Set — JEDEC standard compatible
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: Data Retention]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: Active Current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: Standby Current]
Block Protection — Hardware block protection
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level]

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청