M29W800FB70N3E vs M29W400FT55N3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W800FB70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W400FT55N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ 활성
Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W800FB70N3E M29W400FT55N3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.95 $2.80
메모리 유형 NOR Flash Flash - NOR Memory IC
Density 8 Mbit (8388608 bits) —
메모리 구성 512K x 16 / 1M x 8 —
데이터 버스 폭 x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read)
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
인터페이스 Parallel Parallel
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
패키지 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I
핀 수 48 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 RoHS compliant (plastic TSOP-48) —
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
메모리 크기 — 4 Mbit
Sector Size — 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block)
Boot Block Position — Top (FT suffix)
Temperature Grade — Automotive
Number of Terminals — 48
Package Code / Shape — TSSOP / Rectangular
습도 민감도 레벨 (MSL) — 3 (168 Hours)
Packaging — Tray
Peak Reflow Time — 30 s max
Companion Access-Time Grade — 55 ns and 70 ns versions available in family

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