M29W800FB70N3F vs M29W160FB70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W800FB70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W160FB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W800FB70N3F | M29W160FB70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.91 | $3.58 |
| Density | 8 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 512K x 16 / 1M x 8 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 3.0 V to 3.6 V |
| 인터페이스 유형 | Parallel | — |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Boot Block) | FLASH - NOR |
| Boot Block Location | Bottom | — |
| Block Count | 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main) | — |
| Bus Width Selection | x8 / x16 via BYTE# pin | — |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | — |
| CFI Compliant | Yes | — |
| Erase Suspend/Resume | Yes | — |
| 패키지 | TSOP-48 (12 x 20 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel | Tray |
| 메모리 크기 | — | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Programming Voltage | — | Single supply (no separate VPP required) |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Architecture | — | Boot block |
| 패키지 / 케이스 | — | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Status Output | — | Data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes (boot block protection) |