MPC8347ECVRADDB vs MPC8343VRADDB 비교
다음의 상세 나란히 비교: MPC8347ECVRADDB 제조: NXP Semiconductors 및 MPC8343VRADDB 제조: NXP Semiconductors. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
NXP Semiconductors
MPC8347ECVRADDB - PowerQUICC II Pro 266MHz SoC, 620-HBGA | NXP
MPC8347ECVRADDB ⚠ 최종 구매사양 비교
| 파라미터 | MPC8347ECVRADDB | MPC8343VRADDB |
|---|---|---|
| 브랜드 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| 카테고리 | Microcontrollers | Microcontrollers |
| 수명 주기 상태 | 최종 구매 | 최종 구매 |
| Core Architecture | PowerPC e300 (32-bit) | PowerPC e300 (Power Architecture) |
| Core Frequency | 266 MHz | 266 MHz |
| Instruction Set | Power Architecture 32-bit | — |
| L1 Cache (Instruction) | 32 KB | — |
| L1 Cache (Data) | 32 KB | — |
| Memory Controller | DDR1/DDR2, up to 333 MHz | DDR1 / DDR2 with ECC |
| Ethernet | Dual 10/100/1000 Mbps MAC | Dual 10/100/1000 (RGMII/MII/RTBI) |
| PCI Interface | 32-bit, 33/66 MHz | — |
| USB | 2x USB 2.0 Host with on-chip PHY | Hi-Speed USB 2.0 host/device |
| Security Engine | SEC 2.0 (DES/3DES/AES/SHA/RSA) | DES / 3DES / AES / SHA-1 / MD-5 / PKA |
| DMA Channels | 4 | 4 |
| 동작 온도 | -40C to +105C (Industrial) | 0 C to 105 C |
| 패키지 | 620-HBGA Hi-CTE (29x29 mm) | 620-HBGA (29 x 29 mm, 1.0 mm pitch) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| RoHS 상태 | Compliant | Lead-free (per part suffix "R") |
| 수명 주기 상태 | Last Time Buy (EOL announced) | — |
| 데이터 버스 폭 | — | 32-bit |
| Supply Voltage (Core) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (I/O) | — | 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| 핀 수 | — | 620 |
| PCI | — | Dual 32-bit / 33 MHz (PCI / PCI-X capable) |
| Local Bus | — | 16-bit |
| L1 Cache | — | 16 KB instruction + 16 KB data |