MT29F4G01ABBFD12-AUT:F vs MT29F4G01ABBFD12-IT 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT29F4G01ABBFD12-AUT:F 제조: Micron Technology 및 MT29F4G01ABBFD12-IT 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - 4Gbit SLC SPI NAND Flash | Micron

MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - 4Gbit SLC SPI NAND Flash | Micron

MT29F4G01ABBFD12-AUT:F ✓ 활성
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MT29F4G01ABBFD12-IT MT29F4G01ABBFD12-IT - 4Gb 1.8V SPI NAND SLC Flash | Micron

MT29F4G01ABBFD12-IT - 4Gb 1.8V SPI NAND SLC Flash | Micron

MT29F4G01ABBFD12-IT ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT29F4G01ABBFD12-AUT:F MT29F4G01ABBFD12-IT
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 EEPROM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.58 $2.65
메모리 유형 FLASH - NAND (SLC) Memory IC FLASH - NAND (SLC), Non-Volatile
인터페이스 SPI SPI (x1, x2, x4 quad-I/O)
메모리 크기 4 Gbit (512 MB) —
Cell Type SLC (Single-Level Cell) —
패키지 TBGA (63-ball, per Micron serial NAND family) 24-ball T-PBGA (6x8 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
Automotive Qualification AUT grade, :F automotive suffix —
공급 전압 [DATA_NEEDED: VCC range] —
Max Clock Frequency [DATA_NEEDED: SPI clock frequency] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] 4352 bytes (4096 data + 256 spare)
Block Size [DATA_NEEDED: block size] 256 KiB (typical, 64 pages per block)
On-Die ECC Yes (ECD feature of serial NAND family) —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: temperature range] -40 C to +85 C (Industrial)
RoHS 상태 Compliant (lead-free :F suffix) Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] 3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: exact floor life])
Density — 4 Gbit (4G x 1)
Memory Organization — 4096 + 256 bytes per page (4352 bytes total)
Maximum SPI Clock — 83 MHz
Supply Voltage (VCC) — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typical)
Cell Technology — Single-Level Cell (SLC)
On-die ECC — Supported (host-assisted external ECC typical)

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