MT40A256M16GE-075E:B vs K4A4G165WE-BCTD 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A256M16GE-075E:B 제조: Micron Technology 및 K4A4G165WE-BCTD 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | MT40A256M16GE-075E:B | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.95 | $11.38 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s (DDR4-2666) | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | — |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9 x 14 mm) | FBGA-96 (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | 0C to +85C |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| 인터페이스 | — | Parallel, x16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| RoHS 상태 | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |