MT40A256M16GE-075E:B vs K4AAG165WB-MCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A256M16GE-075E:B 제조: Micron Technology 및 K4AAG165WB-MCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | MT40A256M16GE-075E:B | K4AAG165WB-MCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.95 | $7.42 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 1G x 16 |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s (DDR4-2666) | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9 x 14 mm) | 96FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | 0 C to +85 C |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 인터페이스 | — | Parallel, DDR4 |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| Peak Bandwidth (per device) | — | 19.2 GB/s (estimated: 2400 Mbps x 16 bits / 8) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CL value per Samsung datasheet speed bin table] |
| RoHS 상태 | — | Compliant (per LCSC/JLCPCB listing: FBGA-96 DRAM ROHS) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |