MT40A2G8AG-062E vs MT40A1G8AG-062E 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A2G8AG-062E 제조: Micron Technology 및 MT40A1G8AG-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ 활성
Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A2G8AG-062E MT40A1G8AG-062E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $9.75 $3.10
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit —
메모리 구성 2G x 8 1G x 8
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate)
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CAS 레이턴시 CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
패키지 78-FBGA (7.5 x 11 mm) 78-FBGA (7.5 x 11 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
RoHS 상태 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Die Revision AG (current generation) —
메모리 크기 — 8 Gbit
인터페이스 — Parallel
Clock Cycle Time — 19 ns class (-062E speed grade)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Access Time (CAS Latency class) — DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet)
Bank Group Architecture — Yes (DDR4 bank groups)
Termination — On-Die Termination (ODT)
CA Parity — Supported (DDR4 command/address parity)
Packaging Option — Tape and Reel (TR / :R suffix)
동작 온도 범위 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Rate — [DATA_NEEDED: refresh rate]

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