MT40A512M16JY-083E vs K4A4G165WG-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16JY-083E 제조: Micron Technology 및 K4A4G165WG-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16JY-083E | K4A4G165WG-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.85 | $16.90 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | [DATA_NEEDED: clock frequency / tCK range] |
| 데이터 속도 | 2400 MT/s (speed grade -083E) | 3200 Mbps |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| 패키지 | 96-FBGA (8 x 14 mm) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| 할로겐 프리 | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Access Time | — | 19 ns |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | 0C to +85C |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR4 |
| Product Status | — | Active |
| RoHS 상태 | — | Compliant (per JLCPCB listing) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh Rate | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |