MT40A512M16JY-083E vs MT40A512M16HA-083E 비교

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Micron Technology
MT40A512M16JY-083E MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron

MT40A512M16JY-083E ✓ 활성
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MT40A512M16HA-083E MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

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사양 비교

파라미터 MT40A512M16JY-083E MT40A512M16HA-083E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 DRAM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.85 $0.00
메모리 유형 DDR4 SDRAM (Automotive) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
메모리 구성 512M x 16 —
Clock Frequency 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) —
데이터 속도 2400 MT/s (speed grade -083E) 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
I/O Interface 1.2 V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ On-die internal adjustable generation —
Refresh Structure 8192-cycle refresh —
Refresh Window 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C —
패키지 96-FBGA (8 x 14 mm) 96-ball FBGA, 9 x 14 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
ECCN EAR99 —
할로겐 프리 Compliant —
Country of Origin China —
Memory Density — 8Gbit
Memory Organization — 512M x 16
Data Interface — Parallel DDR4, 16-bit
VDD Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VDDQ Supply — 1.2 V plus or minus 60 mV
VPP Supply — 2.5 V, -125 mV to +250 mV
기준 전압 — On-die internal adjustable VREFDQ
Refresh Cycle Count — 8192 cycles
Refresh Time, -40C to 85C — 64 ms
Refresh Time, >85C to 95C — 32 ms
Refresh Time, >95C — 16 ms
Ball Pitch — 0.8 mm
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 상태 — Compliant

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