MT40A512M16JY-083E vs NT5AD512M16C4-JRU 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16JY-083E 제조: Micron Technology 및 NT5AD512M16C4-JRU 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16JY-083E | NT5AD512M16C4-JRU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | DRAM | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.85 | $83.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (Automotive) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) |
| 데이터 속도 | 2400 MT/s (speed grade -083E) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/- 60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| I/O Interface | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| Refresh Structure | 8192-cycle refresh | — |
| Refresh Window | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C | — |
| 패키지 | 96-FBGA (8 x 14 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| ECCN | EAR99 | — |
| 할로겐 프리 | Compliant | — |
| Country of Origin | China | — |
| CAS Latency (CL) | — | 22 at 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | -40 C to +95 C (industrial grade) |
| 인터페이스 | — | CMOS, DDR4 |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| RoHS 상태 | — | Green Product (per Nanya product page) |