MT40A512M16TB-062E vs MT40A512M16HA-083E 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16TB-062E 제조: Micron Technology 및 MT40A512M16HA-083E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16TB-062E | MT40A512M16HA-083E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $60.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 1600 MHz (DDR4-3200) | 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | 1.2V ±60mV | — |
| Supply Voltage - VPP | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| tRCD | 19 ns | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 특징 | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Density | — | 8Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Data Interface | — | Parallel DDR4, 16-bit |
| VDD Supply | — | 1.2 V plus or minus 60 mV |
| VDDQ Supply | — | 1.2 V plus or minus 60 mV |
| VPP Supply | — | 2.5 V, -125 mV to +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2V pseudo open-drain |
| 기준 전압 | — | On-die internal adjustable VREFDQ |
| Refresh Cycle Count | — | 8192 cycles |
| Refresh Time, -40C to 85C | — | 64 ms |
| Refresh Time, >85C to 95C | — | 32 ms |
| Refresh Time, >95C | — | 16 ms |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |