MT41K256M16 vs MT41K256M16RE-125:D 비교

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Micron Technology
MT41K256M16 MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT41K256M16 MT41K256M16RE-125:D
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 DRAM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.42 $4.19
메모리 유형 DDR3L SDRAM (1.35V) DDR3L SDRAM
메모리 크기 4 Gbit —
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) —
Banks 8 —
패키지 96-ball FBGA FBGA-96 (9x14 mm)
실장 유형 Surface Mount —
Speed Grade Options -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] —
인터페이스 Parallel, source-synchronous DDR —
On-Die Termination Yes (ODT) Yes
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] 0C to +95C (TC)
Refresh 8K refresh cycles / 64 ms —
CAS Latency Options [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] —
Die Revision Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs —
RoHS 상태 Compliant —
ECCN EAR99 —
Lead Free Yes (per DigiKey product listing) —
Density — 4 Gb
공급 전압 — 1.35 V
데이터 속도 — 1600 MT/s
CAS 레이턴시 — 11
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Burst Length — 8, 4
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

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