MT41K256M16HA-107AAT:E vs IS43TR16256AL-107MBL 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-107AAT:E 제조: Micron Technology 및 IS43TR16256AL-107MBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ 활성
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBL ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT41K256M16HA-107AAT:E IS43TR16256AL-107MBL
브랜드 Micron Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.95 $6.00
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
데이터 속도 933 MHz (DDR3L-1866) 1866 MT/s
Access Time 20 ns 20 ns
공급 전압 1.35V 1.35 V
인터페이스 Parallel Parallel
패키지 96-FBGA (9x14mm) 96-TWBGA (9x13 mm)
동작 온도 0°C to +95°C (Tc) 0°C to +95°C (case)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
CAS 레이턴시 13 (typical) 13
Burst Length 8, 4 8 and 4 (with burst chop)
On-Die Termination Yes Yes (ODT)
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
Clock Frequency — 933 MHz

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