MT41K256M16RE-125:D vs MT41K256M16 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16RE-125:D 제조: Micron Technology 및 MT41K256M16 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16RE-125:D | MT41K256M16 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.19 | $2.42 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM (1.35V) |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35 V | — |
| 데이터 속도 | 1600 MT/s | — |
| CAS 레이턴시 | 11 | — |
| 패키지 | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 | 0C to +95C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) |
| Banks | — | 8 |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Speed Grade Options | — | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] |
| 인터페이스 | — | Parallel, source-synchronous DDR |
| Refresh | — | 8K refresh cycles / 64 ms |
| CAS Latency Options | — | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] |
| Die Revision | — | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| Lead Free | — | Yes (per DigiKey product listing) |