MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-FLNA 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16TW-107:P 제조: Micron Technology 및 NT5CC256M16ER-FLNA 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16TW-107:P | NT5CC256M16ER-FLNA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $16.00 | $22.00 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1866 MT/s | 1866 Mbps (max) |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage | 1.35V | 1.5 V |
| CAS 레이턴시 | 13 | Programmable (e.g., 13, 14) |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | 8, 4 (with burst chop) |
| 패키지 | 96-FBGA (8x14mm) | 96-ball TFBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C (commercial/industrial) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Refresh | — | Auto and self refresh |
| RoHS | — | Compliant |