MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-FLNA 对比

详细并排对比 MT41K256M16TW-107:P 出自 Micron Technology 和 NT5CC256M16ER-FLNA 出自 Nanya Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ 量产中
Nanya Technology
NT5CC256M16ER-FLNA NT5CC256M16ER-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-FLNA ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16TW-107:P NT5CC256M16ER-FLNA
品牌 Micron Technology Nanya Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $16.00 $22.00
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
数据速率 1866 MT/s 1866 Mbps (max)
电源电压 1.35V 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
I/O Voltage 1.35V 1.5 V
CAS 延迟 13 Programmable (e.g., 13, 14)
tRCD 20 ns —
tRP 20 ns —
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
封装 96-FBGA (8x14mm) 96-ball TFBGA
工作温度 0°C to +95°C —
安装类型 Surface Mount —
RoHS 状态 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Density — 4 Gb
存储组织 — 256M x 16
Number of Terminals — 96
工作温度范围 — 0°C to +95°C (commercial/industrial)
Number of Banks — 8
Refresh — Auto and self refresh
RoHS — Compliant

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