MT47H32M16NF-25E:H vs MT47H64M16NF-25E 비교
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Micron Technology
MT47H32M16NF-25E:H - 512Mb DDR2 SDRAM 400MHz FBGA-84 | Micron
MT47H32M16NF-25E:H ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT47H32M16NF-25E:H | MT47H64M16NF-25E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.73 | $4.65 |
| 메모리 유형 | DDR2 SDRAM | DDR2 SDRAM |
| Density | 512 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 32M x 16 | 64M x 16 |
| Clock Frequency | 400 MHz | 400 MHz |
| Output Jitter | 400 ps | — |
| 공급 전압 | 1.8 V | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 84-FBGA (8 x 12.5 mm) | 84-FBGA (8 mm x 12.5 mm) |
| Speed Grade | -25E | -25E |
| Operating Temperature (commercial :H variant) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Operating Temperature (IT variant) | -40C to +95C | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| RoHS 상태 | Compliant (:H lead-free suffix) | — |
| FBGA Code | D9SBV | — |
| 메모리 크기 | — | 1 Gbit |
| Memory Interface | — | Parallel |
| 데이터 속도 | — | DDR2-800 (400 ps) |
| Number of Banks | — | 8 banks |
| Prefetch Architecture | — | 4n-bit |
| VDD Supply Voltage | — | 1.8 V +/-0.1 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.8 V +/-0.1 V |
| I/O Interface Standard | — | SSTL_18-compatible (JEDEC 1.8V) |
| 특징 | — | Differential DQS, RDQS duplicate output strobe, DM data mask, auto precharge, dynamic ODT |
| 동작 온도 | — | -40C to +95C (IT: industrial) |
| Part Status | — | Production |