MT53E128M32D2DS-046 vs MT53E256M32D2DS-046 비교
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Micron Technology
MT53E128M32D2DS-046 - 4Gb LPDDR4 SDRAM 200-WFBGA | Micron
MT53E128M32D2DS-046 ObsoleteMicron Technology
MT53E256M32D2DS-046 - 8Gb LPDDR4 SDRAM | Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT53E128M32D2DS-046 | MT53E256M32D2DS-046 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $9.10 |
| 메모리 유형 | Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDDR4/LPDDR4X unified) | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) |
| Density | 4 Gbit | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 128M x 32 | 256M x 32 |
| 데이터 버스 폭 | 32 bit | — |
| 데이터 속도 | 2.133 GHz (speed bin -046) | [DATA_NEEDED: data rate] |
| Maximum Clock Rate | 4166 MHz (per Arrow listing) | — |
| Configuration | DDP (Double-Die Package) | — |
| 패키지 | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| VDDQ (LPDDR4X mode) | 0.6 V | — |
| VDDQ (LPDDR4 mode) | 1.10 V | — |
| Operating Temperature (AAT grade) | -40C to +105C | — |
| Operating Temperature (AIT grade) | -40C to +95C | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Dry pack, Tape and Reel | — |
| ECCN (US) | EAR99 | — |
| HTS | 8542.32.00.28 | — |
| Automotive Qualification | Yes (per Arrow listing for AAT:A) | — |
| RoHS 상태 | EU RoHS Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Part Status | Obsolete (per Arrow listing) | — |
| Clock Frequency | — | 2133 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Interface Supply Voltage (VDDQ) | — | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] |
| Operating Temperature (IT grade) | — | [DATA_NEEDED: IT temperature range] |
| Speed Grade | — | -046 |
| Product Generation | — | MT53E (LPDDR4/LPDDR4X unified die, supports 0.6V VDDQ LPDDR4X operation) |
| Automotive Qualification (AUT grade variant) | — | AEC-Q100 qualified (AUT:B variant) |
| Packaging (TR suffix) | — | Tape & Reel (TR) or Tray |