MT53E256M16D1FW-046 vs H5CG46AGBDX017 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E256M16D1FW-046 제조: Micron Technology 및 H5CG46AGBDX017 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E256M16D1FW-046 MT53E256M16D1FW-046 - 4Gb LPDDR4X SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E256M16D1FW-046 - 4Gb LPDDR4X SDRAM 2133MHz | Micron

MT53E256M16D1FW-046 ✓ 활성
SK hynix
H5CG46AGBDX017 H5CG46AGBDX017 - 16Gb DDR5 5600Mbps SDRAM | SK hynix

H5CG46AGBDX017 - 16Gb DDR5 5600Mbps SDRAM | SK hynix

H5CG46AGBDX017 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53E256M16D1FW-046 H5CG46AGBDX017
브랜드 Micron Technology SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $7.20 $92.10
메모리 유형 SDRAM - Mobile LPDDR4X DDR5 SDRAM
Density 4 Gbit 16 Gb
메모리 구성 256M x 16 1G x 16
데이터 속도 2133 Mbps/pin (2.133 GHz) 5600 Mbps/pin
Clock Cycle Time 3.5 ns —
Core Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
I/O Supply Voltage (VDDQ) 0.6 V (LPDDR4X) —
인터페이스 Parallel DDR5 (Double Data Rate 5)
패키지 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) FBGA (surface mount)
실장 유형 Surface Mount (BGA soldered) Surface Mount
Technology LPDDR4X LPDRAM —
Speed Grade -046 (2133 MHz class) —
Temperature Grade (WT suffix) [DATA_NEEDED: operating temperature range for WT grade] —
Ball Count 200 [DATA_NEEDED: package ball count]
Package Dimensions 10 mm x 14.5 mm —
Low Power Modes Self-refresh, deep power-down, DPD —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status from datasheet] Compliant (per JLCPCB listing)
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD nominal, expected 1.1 V per DDR5 JEDEC class]
On-Die ECC — [DATA_NEEDED: on-die ECC support confirmation]
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme]
Generation — DDR5
Manufacturer Part Status — In stock at multiple distributors
Typical Applications — Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules

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