MT53E256M32D2DS-046 vs MT53D512M32D2DS-046 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT53E256M32D2DS-046 제조: Micron Technology 및 MT53D512M32D2DS-046 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 MT53E256M32D2DS-046 - 8Gb LPDDR4 SDRAM | Micron Technology

MT53E256M32D2DS-046 - 8Gb LPDDR4 SDRAM | Micron Technology

MT53E256M32D2DS-046 ✓ 활성
Micron Technology
MT53D512M32D2DS-046 MT53D512M32D2DS-046 - 16Gb LPDDR4 2133MHz DRAM | Micron

MT53D512M32D2DS-046 - 16Gb LPDDR4 2133MHz DRAM | Micron

MT53D512M32D2DS-046 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT53E256M32D2DS-046 MT53D512M32D2DS-046
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $9.10 $61.75
메모리 유형 LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) SDRAM - Mobile LPDDR4
Density 8 Gbit —
메모리 구성 256M x 32 512M x 32
Clock Frequency 2133 MHz 2.133 GHz
데이터 속도 [DATA_NEEDED: data rate] —
Core Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Interface Supply Voltage (VDDQ) [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] —
패키지 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) 200-WFBGA (10 x 14.5 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature (IT grade) [DATA_NEEDED: IT temperature range] —
Speed Grade -046 —
Product Generation MT53E (LPDDR4/LPDDR4X unified die, supports 0.6V VDDQ LPDDR4X operation) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Automotive Qualification (AUT grade variant) AEC-Q100 qualified (AUT:B variant) —
Packaging (TR suffix) Tape & Reel (TR) or Tray —
메모리 크기 — 16 Gbit
공급 전압 — 1.1 V
동작 온도 — -30C to +85C (WT grade)
Die Configuration — DDP (Dual Die Package)
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
인터페이스 — LPDDR4 (JEDEC mobile SDRAM)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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