MT53E384M32D2DS-046 vs MT53E256M32D2DS-046 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT53E384M32D2DS-046 제조: Micron Technology 및 MT53E256M32D2DS-046 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron
MT53E384M32D2DS-046 ✓ 활성Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 - 8Gb LPDDR4 SDRAM | Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT53E384M32D2DS-046 | MT53E256M32D2DS-046 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $13.40 | $9.10 |
| 메모리 유형 | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) |
| Memory Organization | 384M x 32 | — |
| Density | 12 Gbit | 8 Gbit |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | 2133 MHz |
| Speed Grade | -046 (4266 MT/s class) | -046 |
| 공급 전압 | 1.1 V | — |
| 패키지 | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Configuration | DDP (Double Die Package) | — |
| Qualification | AEC-Q100, automotive grade (AUT suffix) | — |
| Die Revision | :E | — |
| Access Type | Parallel | — |
| Memory Category | Volatile DRAM | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: exact MT/s data rate] | [DATA_NEEDED: data rate] |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 메모리 구성 | — | 256M x 32 |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Interface Supply Voltage (VDDQ) | — | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] |
| Operating Temperature (IT grade) | — | [DATA_NEEDED: IT temperature range] |
| Product Generation | — | MT53E (LPDDR4/LPDDR4X unified die, supports 0.6V VDDQ LPDDR4X operation) |
| Automotive Qualification (AUT grade variant) | — | AEC-Q100 qualified (AUT:B variant) |
| Packaging (TR suffix) | — | Tape & Reel (TR) or Tray |