MX30UF4G26AB vs MX30UF4G16AB 비교

다음의 상세 나란히 비교: MX30UF4G26AB 제조: Macronix 및 MX30UF4G16AB 제조: Macronix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Macronix
MX30UF4G26AB MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB - 1.8V 4Gbit SLC NAND Flash | Macronix

MX30UF4G26AB ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MX30UF4G26AB MX30UF4G16AB
브랜드 Macronix Macronix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.25 $2.55
메모리 유형 FLASH - NAND (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
Memory Density 4 Gbit (512 MB) —
Memory Organization 256M x 16 —
Supply Voltage (Vcc) 1.7 V to 1.95 V —
인터페이스 Parallel (Asynchronous NAND) Parallel / Asynchronous NAND (ONFI 1.0)
Access Time 25 ns —
Page Size [DATA_NEEDED: page size in bytes] [DATA_NEEDED: page size bytes]
Block Size [DATA_NEEDED: block size in pages] [DATA_NEEDED: block size / block erase granularity]
동작 온도 -40 C to +85 C —
패키지 63-VFBGA (9 x 11 mm) 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Compliance Standard ONFI 1.0 —
Cell Technology Single-Level Cell (SLC) —
Endurance (P/E Cycles) [DATA_NEEDED: typical endurance per block] [DATA_NEEDED: typical P/E cycles]
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention years] [DATA_NEEDED: typical data retention years]
MSL 레벨 3 —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Density — 4 Gbit (512 MB)
메모리 구성 — 256 M x 16
Supply Voltage (VCC) — 1.7 V to 1.95 V (1.8 V typical)
Bus Width — x16 (also supports x8)
Access Time (tRC) — 25 ns (typical)
Standby Current (Sleep Mode) — 50 uA (maximum)
동작 온도 범위 — -40C to +85C (industrial)
Lead-Free — Yes
ONFI Compliance — ONFI 1.0 parameter page
Bad Block Management — External (host-managed)
ECC Support — External hardware ECC required

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