N25Q032A13EV7A0 vs N25Q256A13E12A0F 비교
다음의 상세 나란히 비교: N25Q032A13EV7A0 제조: Micron Technology 및 N25Q256A13E12A0F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | N25Q032A13EV7A0 | N25Q256A13E12A0F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.35 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (SPI) | NOR Flash, Serial SPI |
| Density | 32 Mbit (4 MB) | 256 Mbit (32 MB) |
| 메모리 구성 | 8M x 4 die | 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note |
| 인터페이스 | SPI | — |
| Max Clock Frequency | 108 MHz | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | VDFPN8 (8-lead MLP8) | 24-ball T-PBGA (6x8 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Format | Flash (NOR) | — |
| Write Cycle Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: read access time] | 8 ns (per FindIC listing) |
| Program/Erase Modes | Page program, sector erase, bulk erase | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| Packaging | Tape & Reel (tray options may exist) | Tape & Reel (TR suffix) |
| Max SPI Clock Frequency | — | 108 MHz |
| I/O Modes | — | Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash) |
| Technology | — | SLC (Single-Level Cell) |
| Sector Erase Size | — | 4 KB |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention years] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read current] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: ICC standby current] |