N25Q256A13E12A0F vs N25Q032A13EV7A0 비교
다음의 상세 나란히 비교: N25Q256A13E12A0F 제조: Micron Technology 및 N25Q032A13EV7A0 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | N25Q256A13E12A0F | N25Q032A13EV7A0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $1.35 |
| 메모리 유형 | NOR Flash, Serial SPI | NOR Flash (SPI) |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | 32 Mbit (4 MB) |
| 메모리 구성 | 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note | 8M x 4 die |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Max SPI Clock Frequency | 108 MHz | — |
| I/O Modes | Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash) | — |
| Technology | SLC (Single-Level Cell) | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | — |
| 패키지 | 24-ball T-PBGA (6x8 mm) | VDFPN8 (8-lead MLP8) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Access Time | 8 ns (per FindIC listing) | [DATA_NEEDED: read access time] |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tape & Reel (tray options may exist) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention years] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ICC standby current] | — |
| 인터페이스 | — | SPI |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Memory Format | — | Flash (NOR) |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Program/Erase Modes | — | Page program, sector erase, bulk erase |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL] |