NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A512M16AD-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16C4-JRU 제조: Nanya Technology 및 MT40A512M16AD-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ 활성Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16C4-JRU | MT40A512M16AD-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $83.00 | $9.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) | 1.6 GHz |
| CAS Latency (CL) | 22 at 1600 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) |
| 동작 온도 | -40 C to +95 C (industrial grade) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 인터페이스 | CMOS, DDR4 | Parallel (POD) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Green Product (per Nanya product page) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit |
| Access Time (Row Cycle) | — | 19 ns |
| Automotive Qualification | — | AUT:E (automotive variant) |
| Speed Grade | — | -062E |
| 공급 전압 | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] |
| Prefetch Architecture | — | 8n with bank groups |
| HS Code (USHTS) | — | 8542320071 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: reel quantity] |