NT5CC256M16DN-FLNA vs MT41K256M16HA-125 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16DN-FLNA 제조: Nanya Technology 및 MT41K256M16HA-125 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CC256M16DN-FLNA MT41K256M16HA-125
브랜드 Nanya Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.00 $6.36
메모리 유형 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
메모리 구성 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.283V-1.45V) —
Backward Compatible Voltage 1.5V ±0.075V —
데이터 속도 1600 Mbps (PC3-12800) —
CAS 레이턴시 11 11
Burst Length 8 —
패키지 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
동작 온도 범위 Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) —
인터페이스 16-bit I/O —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes —
RoHS Compliant —
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
데이터 버스 폭 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
공급 전압 — 1.35 V
핀 수 — 96
실장 유형 — Surface Mount
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 상태 — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

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