NT5CC256M16DN-FLNA vs MT41K256M16HA-125 对比

详细并排对比 NT5CC256M16DN-FLNA 出自 Nanya Technology 和 MT41K256M16HA-125 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Nanya Technology
NT5CC256M16DN-FLNA NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DN-FLNA ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 量产中

规格对比

参数 NT5CC256M16DN-FLNA MT41K256M16HA-125
品牌 Nanya Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.00 $6.36
存储器类型 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
存储组织 256M x 16 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V (1.283V-1.45V) —
Backward Compatible Voltage 1.5V ±0.075V —
数据速率 1600 Mbps (PC3-12800) —
CAS 延迟 11 11
Burst Length 8 —
封装 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
工作温度范围 Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) —
接口 16-bit I/O —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination (ODT) Yes —
DLL Yes —
RoHS Compliant —
存储容量 — 4Gbit (256M x 16)
数据总线宽度 — 16 bit
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
电源电压 — 1.35 V
引脚数 — 96
安装类型 — Surface Mount
工作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS 状态 — Compliant
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

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