NT5CC256M16DP-FLNA vs NT5CC256M16DP-DI 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16DP-FLNA 제조: Nanya Technology 및 NT5CC256M16DP-DI 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-FLNA NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology

NT5CC256M16DP-FLNA ✓ 활성
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CC256M16DP-FLNA NT5CC256M16DP-DI
브랜드 Nanya Technology Nanya Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $20.00 $6.50
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Total Density 4 Gb —
공급 전압 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) 1.35V
데이터 속도 1600 Mbps (PC3L-12800) 1600 Mbps/pin (800MHz)
CAS 레이턴시 11, 12, 13 11, 12, 13 (programmable)
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8, 4 (with burst chop)
Number of Banks 8 8
인터페이스 SSTL-15 Differential clock (CK, CK#)
패키지 BGA-96 (13x9 mm) VFBGA-96
동작 온도 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Refresh Auto self-refresh, auto precharge Auto-refresh and self-refresh
특징 Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset —
Density — 4Gb
동작 온도 범위 — -40°C to +95°C (industrial)
On-Die Termination — Yes (ODT)

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