PDRQL8KCBF12-00 vs K4RAH086VP-BCWM 비교
다음의 상세 나란히 비교: PDRQL8KCBF12-00 제조: Samsung Electronics 및 K4RAH086VP-BCWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | PDRQL8KCBF12-00 | K4RAH086VP-BCWM |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $18.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | — |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 7200 MT/s | 5600 Mbps/pin |
| 공급 전압 | 1.1 V | 1.1 V |
| 패키지 | FBGA | [DATA_NEEDED: exact FBGA package code and body size] |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Burst Length | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) | — |
| On-die ECC | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| 인터페이스 | Pseudo-differential DQ | Parallel |
| Process Technology | 10nm-class | — |
| RoHS 상태 | Compliant | unknown |
| Lead-Free | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 2G x 8 |
| Technology | — | DRAM DDR5 |
| Memory Format | — | DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| Packaging | — | Tray |
| Application Segment | — | Industrial |
| 수명 주기 상태 | — | Active |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |